Издателям
Вышедшие номера
Релаксация темнового электрического поля в высокоомных сильно смещенных структурах с одиночным примесным уровнем
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Изучено влияние энергии примесного уровня varepsilont=Ec-Et и туннельной прозрачности границы раздела Tn, p на релаксацию электрического поля при скачкообразной подаче большого обедняющего напряжения на высокоомную симметричную структуру металл--полупроводник (МПМ) и металл--диэлектрик--полупроводник (МДПДМ) с одиночным примесным уровнем. Показано, что процесс релаксации поля и форма стационарного распределения зависят от соотношения времени жизни в зоне основных носителей (дырок) tp и времени ионизации примеси в толще taut-1=alphan(n*+n1)+alphap(p*+p1), которое определяет относительный вклад свободного rhop, n и связанного зарядов rhot (alphan, p --- коэффициенты захвата на примесь, p*, n*, p1, n1 --- равновесные концентрации в толще и постоянные Шокли--Рида). При taut~(taut)max>> tp, и rhot>> rhop, n, что соответствует энергиям, близким к значению varepsilont=Eg/2+kTlnsqrt(Ncalphan/(Nvalphap))sqrt, независимо от величины Tn, p в толще возникают затухающие осцилляции распределений концентраций, объемного заряда и поля. Максимальная амплитуда осцилляций достигается при t~ 0.4taut. При отклонении taut от (taut)max за счет уменьшения отношения alphap/alphan колебания поля прекращаются, и в катодной части толщи поле растет с положительной кривизной. Величина Tn, p определяет поведение поля в окрестности анода. Значение (dE/dx)0 положительно для МПМ-структуры (Tn, p~ 1) и отрицательно для МДПДМ-структуры (Tn, p~ 0). При прозрачностях, близких к Tn, p0, поле в структуре остается почти однородным в течение времени ионизации примеси.
  1. М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Наука, Л. (1983). 269 с
  2. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Наука, Л. (1981). 176 с
  3. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. ФТТ 24, 1, 108 (1982)
  4. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский, М.Б. Мельников. ФТТ 25, 7, 2163 (1983)
  5. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский, В.А. Киселев. ФТТ 26, 9, 2843 (1984)
  6. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт ФТИ N 1091. Л. (1986). 57 с
  7. А.С. Фурман. ФТТ 28, 7, 2083 (1986)
  8. А.С. Фурман. ФТП 22, 12, 2138 (1988)
  9. V.N. Astratov, A.S. Furman, A.V. Ilinskii. Semiconductors and Insulators: Optical and Spectroscopic Research. Nova Sci. Publ. Inc. (1992). 271 p
  10. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, М.П. Петров, А.В. Хоменко. ФТТ 24, 1, 149 (1982)
  11. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин. ФТТ 25, 8, 2346 (1983)
  12. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, В.И. Марахонов. ЖТФ 53, 6, 1133 (1983)
  13. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин. ФТТ 28, 1, 148 (1986)
  14. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.К. Кузьмин. ФТТ 28, 9, 2728 (1986)
  15. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП 29, 11, 2092 (1995)
  16. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 26, 8, 1480 (1992)
  17. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 27, 8, 1262 (1993)
  18. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 31, 1, 23 (1997)
  19. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 28, 10, 1788 (1994)
  20. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 29, 8, 1430 (1995)
  21. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП 29, 12, 2189 (1995)
  22. Б.И. Резников. ФТП 30, 8, 1497 (1996)
  23. Б.И. Резников. ФТП 31, 8, 1003 (1997)
  24. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). С. 306
  25. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. Stat. Electron. 29, 3, 287 (1986)
  26. D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron Dev. ED-16, 1, 64 (1969)
  27. А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем. Наука, М. (1971). С. 532
  28. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП 7, 7, 149 (1973)
  29. Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП 12, 12, 2319 (1978)
  30. Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП 13, 1, 138 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.