Изучено влияние энергии примесного уровня varepsilon_t=E_c-E_t и туннельной прозрачности границы раздела T_{n, p} на релаксацию электрического поля при скачкообразной подаче большого обедняющего напряжения на высокоомную симметричную структуру металл-полупроводник (МПМ) и металл-диэлектрик-полупроводник (МДПДМ) с одиночным примесным уровнем. Показано, что процесс релаксации поля и форма стационарного распределения зависят от соотношения времени жизни в зоне основных носителей (дырок) t_p и времени ионизации примеси в толще tau_t^-1=alpha_n(n_*+n₁)+alpha_p(p_*+p₁), которое определяет относительный вклад свободного rho_{p, n} и связанного зарядов rho_t (alpha_{n, p} - коэффициенты захвата на примесь, p_*, n_*, p₁, n₁ - равновесные концентрации в толще и постоянные Шокли-Рида). При tau_t~(tau_t)_max>> t_p, и rho_t>> rho_{p, n}, что соответствует энергиям, близким к значению varepsilon_t=E_g/2+kTlnsqrt(N_calpha_n/(N_valpha_p))sqrt, независимо от величины T_{n, p} в толще возникают затухающие осцилляции распределений концентраций, объемного заряда и поля. Максимальная амплитуда осцилляций достигается при t~ 0.4tau_t. При отклонении tau_t от (tau_t)_max за счет уменьшения отношения alpha_p/alpha_n колебания поля прекращаются, и в катодной части толщи поле растет с положительной кривизной. Величина T_{n, p} определяет поведение поля в окрестности анода. Значение (dE/dx)₀ положительно для МПМ-структуры (T_{n, p}~ 1) и отрицательно для МДПДМ-структуры (T_{n, p}~ 0). При прозрачностях, близких к T_{n, p}⁰, поле в структуре остается почти однородным в течение времени ионизации примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.