Издателям
Вышедшие номера
Слабая биэпитаксиальная джозефсоновская связь в пленке YBa2Cu3O7-delta на BaZrO3 / CeO2 / SrTiO3
Бойков Ю.А.1, Иванов З.Г.2, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Physics Department, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
Поступила в редакцию: 20 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Метод лазерного испарения использован для формирования трехслойной биэпитаксиальной гетероструктуры (001)YBa2Cu3O7-delta / (110)BaZrO3 / (001)CeO2 на (100)SrTiO3. Анализ эпитаксиальных соотношений между слоями, входящими в гетероструктуру, проведен на основе полученных рентгеновских данных. Произведение IcRn для сформированных биэпитаксиальных джозефсоновских контактов находилось в пределах 1--1.5 mV при 4.2 K и 30-60 muV при 77 K. Нормальное сопротивление Rn=2-5 Omega практически не зависело от температуры. Четко выраженный основной максимум и искаженные последующие наблюдались на зависимости Ic от магнитного поля. Взаимодействие переменного тока Джозефсона с самонаведенными в области 45o кристаллографической границы электромагнитными волнами и с внешним СВЧ-излучением (f=11 GHz) приводило к появлению ступеней тока на вольт-амперных характеристиках для биэпитаксиальных контактов при соответствующих напряжениях.
  1. K. Char, M.S. Colclough, S.M. Garrison, N. Newman, G. Zaharchuk. Appl. Phys. Lett. 59, 733 (1991)
  2. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, G. Brorsson, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol. 7, 281 (1994)
  3. S. Lee, D. Youm. Physica C 211, 205 (1993)
  4. K. Char, M.S. Colclough, L.P. Lee, G. Zaharchuc. Appl. Phys. Lett. 59, 2177 (1991)
  5. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.L. Vasiliev, T. Claeson. J. Appl. Phys. 77, 1654 (1995)
  6. Z.G. Ivanov, P.A. Nilsson, D. Winkler, J.A. Alarco, T. Claeson, E.A. Stepantsov, A.Ya. Tzalenchuk. Appl. Phys. Lett. 59, 3030 (1991)
  7. K. Herrmann, Y. Zhang, H.-M. Muck, J. Schubert, W. Zander, A.I. Braginski. Supercond. Sci. Technol. 4, 583 (1991)
  8. A.I. Braginski. In: The New Superconducting Electronics / Ed. H. Weinstock and R.W. Ralston. NATO ASI Series. Series E: Appl. Sci. Springer, N.Y. (1993). V. 251. P. 89
  9. C.A. Copetti, F. Ruders, B. Oelze, Ch. Buchal, B. Kabius, J.W. Seo. Physica C 253, 63 (1995)
  10. D. Dimos, P. Chaudhari, J. Mannhart. Phys. Rev. B 41, 4038 (1990)
  11. A.T. Fiory, A.F. Hebard, P.M. Mankiewich, R.E. Howard. Appl. Phys. Lett. 52, 2165 (1988)
  12. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, T. Claeson. J. Appl. Phys, to be publiched
  13. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, Д. Эртс. ФТТ, в печати
  14. D. Winkler, Y.M. Zhang, P.A. Nilsson, E.A. Stepantsov, T. Claeson. Phys. Rev. Lett. 72, 1260 (1994)
  15. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  16. M.D. Fiske. Rev. Mod. Phys. 36, 221 (1964)
  17. R.E. Eck, D.J. Scalapino, B.N. Taylor. Phys. Rev. Lett. 13, 15 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.