Методами электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и контактной разности потенциалов исследованы электронные свойства и механизмы формирования тонкопленочных структур Yb-Si(111), создаваемых путем напыления атомов Yb на поверхность Si(111)7x7 при комнатной температуре. Изучено также влияние прогрева до 800 K на свойства этих структур. Показано, что формирование границы раздела происходит по механизму Странского-Крастанова. Установлено, что прогрев системы Yb-Si(111) приводит к очень большому (до 1 eV) увеличению работы выхода при всех концентрациях атомов Yb на поверхности кремния. На адсорбционной стадии это увеличение обусловлено ростом 2D-доменов иттербия, сопровождающимся образованием поляризованных димеров из тех поверхностных атомов кремния, которые имеют ненасыщенные валентные связи. Диполи ориентированы таким образом, что общая энергия системы Yb-Si(111) при их образовании понижается, а работа выхода возрастает. На стадии силицидообразования увеличение работы выхода при прогреве обусловлено в конечном счете образованием на поверхности структуры Yb-Si(111) слоя атомов кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.