Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1997, выпуск 9 » Статья стр. 1672
<<<>>>
Термически активированные процессы перестройки в тонкопленочных структурах Yb--Si(111)
Крачино Т.В.1, Кузьмин М.В.1, Логинов М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Методами электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и контактной разности потенциалов исследованы электронные свойства и механизмы формирования тонкопленочных структур Yb-Si(111), создаваемых путем напыления атомов Yb на поверхность Si(111)7x7 при комнатной температуре. Изучено также влияние прогрева до 800 K на свойства этих структур. Показано, что формирование границы раздела происходит по механизму Странского-Крастанова. Установлено, что прогрев системы Yb-Si(111) приводит к очень большому (до 1 eV) увеличению работы выхода при всех концентрациях атомов Yb на поверхности кремния. На адсорбционной стадии это увеличение обусловлено ростом 2D-доменов иттербия, сопровождающимся образованием поляризованных димеров из тех поверхностных атомов кремния, которые имеют ненасыщенные валентные связи. Диполи ориентированы таким образом, что общая энергия системы Yb-Si(111) при их образовании понижается, а работа выхода возрастает. На стадии силицидообразования увеличение работы выхода при прогреве обусловлено в конечном счете образованием на поверхности структуры Yb-Si(111) слоя атомов кремния.
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). 484 с
  2. G. Rossi. Surf. Sci. Rep. 7, 1/2, 1 (1987)
  3. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 2, 256 (1997)
  4. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson, J. Nogami, A.A. Baski, C.F. Quate. Phys. Rev. B 47, 15, 9663 (1993)
  5. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, M. Gothelid, M. Hammar, C. Tornevik, U.O. Karlsson. Phys. Rev. B 48, 15, 11014 (1993)
  6. М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. Письма в ЖТФ 21, 19, 73 (1995)
  7. M.P. Seah. Surf. Sci. 32, 3, 703 (1972)
  8. R. Kern, G. Le Lay, J.J. Metois. Current Topics in Material Science / Ed. E. Kaldis. North Holland Publishing Company (1979). V. 3. P. 131
  9. P.W. Palmberg, T.N. Rhodin. J. Appl. Phys. 39, 5, 2425 (1968)
  10. J.M. Charig, D.K. Skinner. Surf. Sci. 19, 2, 283 (1970)
  11. Y. Matsushita, K. Yagi, T. Narusava, G. Honjo. Jap. J. Appl. Phys. Suppl. 2, Pt 1, 567 (1974)
  12. Ю.С. Ведула, В.В. Гончар, А.Г. Наумовец, А.Г. Федорус. ФТТ 19, 9, 1569 (1977)
  13. J. Kolaczkiewicz, E. Bauer. Surf. Sci. 154, 2/3, 357 (1985)
  14. J. Kolaczkiewicz, E. Bauer. Surf. Sci. 175, 3, 487 (1986)
  15. A. Stenborg, E. Bauer. Phys. Rev. B 36, 11, 5840 (1987)
  16. A. Pellissier, R. Baptist, G. Chauvet. Surf. Sci. 210, 1/2, 99 (1989)
  17. K.O. Magnusson, B. Reihl. Phys. Rev. B 41, 17, 12071 (1990)
  18. E.G. Michel, P. Pervan, G.R. Castro, R. Miranda, K. Wandelt. Phys. Rev. B 45, 20, 11811 (1992)
  19. R. Compano, U. del Pennino, Carlo Mariani. Phys. Rev. B 46, 11, 6955 (1992)
  20. D. Vlachos, M. Kamaratos, C. Papageorgopoulos. Solid State Commun. 90, 3, 175 (1994)
  21. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. Наука, М. (1987). 431 с
  22. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg (1993). 366 p
  23. I. Chorkendorff, J. Kofoed, J. Onsgaard. Surf. Sci. 152/153, Pt 2, 749 (1985)
  24. R. Hofmann, W.A. Henle, F.P. Netzer, M. Neuber. Phys. Rev. B 46, 7, 3857 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme