С помощью Оже-электронной спектроскопии изучена кинетика взаимодействия кремния с текстурированными танталовыми лентами с преимущественным выходом на поверхность грани (100). При температурах T<700 K кремний накапливается на поверхности. В области температур 900<T<1000 K после образования монослойного покрытия избыточный кремний участвует в послойном образовании силицида TaSi₂. В области температур 1150<T<1320 K избыточный сверх монослоя кремний реагирует с танталом и по механизму послойного роста образует силицид Ta₅Si₃, который является неустойчивым и при T>1320 K разлагается с образованием силицида Ta₄Si, при этом на поверхности остается только 1/3 от монослойного покрытия кремния. Энергия активации распада силицида Ta₅Si₃ составляет 4.3± 0.2 eV. Термодесорбция атомов Si при малых покрытиях происходит с энергией активации десорбции 5.4± 0.2 eV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.