Вышедшие номера
Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi12SiO20
Панченко Т.В.1
1Днепропетровский университет, Днепропетровск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследованы аномалии диэлектрических свойств нелегированных и легированных ионами Al и Ga кристаллов Bi12SiO20 в диапазоне частот nu=102-106 Hz и температур T=300-800 K. Показано, что они обусловлены процессами дебаевской релаксации, определены параметры релаксаторов. Обсуждается механизм электронной тепловой поляризации.