Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на электропроводность и диэлектрические свойства кристаллов beta-TlInS2 в области существования несоразмерной фазы
Шелег А.У.1, Иодковская К.В.1, Родин С.В.1, Алиев В.А.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на электропроводность sigma, диэлектрическую проницаемость varepsilon и тангенс угла диэлектрических потерь tgdelta кристаллов beta-TlInS2 в температурной области существования несоразмерной фазы. Установлено, что в результате gamma-облучения происходит снижение значений varepsilon и tgdelta во всей исследованной температурной области, максимумы кривых sigma(T) и tgdelta(T) в области температуры перехода Tc уменьшаются, но значение температуры перехода не изменяется.