Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
Поступила в редакцию: 11 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Исследуется влияние экранированя зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда на ширину плоскопараллельной доменной структуры. Определен период доменной структуры в рамках его отождествления с периодом модулированного распределения поляризации, возникающего по механизму потери устойчивости в сегнетоэлектрическом кристалле конечных размеров. Описано влияние на период параметров поверхностных электронных состояний, поверхностного несегнетоэлектрического слоя и экранирования свободными носителями заряда.
- Е.В. Ченский, В.В. Тарасенко. ЖЭТФ 83, 3, 1083 (1982)
- B.M. Darinskii, A.P. Lazarev, A.S. Sidorkin. Ferroelectrics 98, 193 (1989)
- И.Е. Дикштейн, В.В. Тарасенко. ФТТ 31, 1, 200 (1989)
- Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Изв. АН СССР. Сер. физ. 53, 7, 1276 (1989)
- Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Кристаллография 36, 3, 757 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
