Издателям
Вышедшие номера
Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда
Сидоркин А.С.1, Даринский Б.М.1, Сигов А.С.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Исследуется влияние экранированя зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда на ширину плоскопараллельной доменной структуры. Определен период доменной структуры в рамках его отождествления с периодом модулированного распределения поляризации, возникающего по механизму потери устойчивости в сегнетоэлектрическом кристалле конечных размеров. Описано влияние на период параметров поверхностных электронных состояний, поверхностного несегнетоэлектрического слоя и экранирования свободными носителями заряда.
  1. Е.В. Ченский, В.В. Тарасенко. ЖЭТФ 83, 3, 1083 (1982)
  2. B.M. Darinskii, A.P. Lazarev, A.S. Sidorkin. Ferroelectrics 98, 193 (1989)
  3. И.Е. Дикштейн, В.В. Тарасенко. ФТТ 31, 1, 200 (1989)
  4. Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Изв. АН СССР. Сер. физ. 53, 7, 1276 (1989)
  5. Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Кристаллография 36, 3, 757 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.