Вышедшие номера
Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS
Давидюк Г.Е.1, Божко В.В.1, Мирончук Г.Л.1, Панкевич В.З.1
1Волынский государственный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Email: ftt@lab.univer.lutsk.ua
Поступила в редакцию: 5 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E=1.2 MeV, Phi=2· 1017 cm-2) монокристаллов СdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E=2 MeV, Phi=2·1018 cm-2). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с lambdam=0.72, 1.03 и 0.605 mum делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах СdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки. PACS: 78.55.Et