Издателям
Вышедшие номера
Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства
Рысаков В.М.1
1Физический институт при Педагогическом университете, 76--200 Слупск, Польша
Поступила в редакцию: 26 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Предлагается модель возникновения и развития акустоэлектрического домена в пьезополупроводниках при развитии акустической неустойчивости. Модель не только качественно объясняет все основные нетривиальные особенности развития домена, но и позволяет количественно оценить его параметры: амплитуду и длительность. Результаты оценок близки к экспериментальным данным, что свидетельствует о правильности модели.
  1. В.М. Рысаков. УФН 161, 12, 1 (1991)
  2. N.I. Meyer, M.H. Jorgenson. Festkorperprobleme 10, 21 (1970)
  3. H. Kuzmany. Phys. Stat. Sol. (a) 25, 1, 9 (1974)
  4. В.М. Рысаков. Письма в ЖТФ 16, 13, 56 (1990)
  5. Ю.В. Гуляев, В.И. Пустовойт. ЖЭТФ 104, 4, 3457 (1993)
  6. P.K. Tien. Phys. Rev. 171, 3, 970 (1968)
  7. В.М. Рысаков. Акуст. журн. 36, 6, 180 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.