Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами

Вороновский А.Н.¹, Дижур Е.М.¹, Ицкевич Е.С.¹, Каширская Л.М.¹, Стрэдлинг Р.А.²

¹Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

²Imperial College, London SW7 2BZ, UK

Поступила в редакцию: 17 октября 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены измерения магнетосопротивления и ЭДС Холла в полях до 7 Т при 4.2 K под давлением до 2.5 GPa для систем с квантовыми ямами GaSb/InAs/GaSb различной ширины и с разным типом интерфейса. Из анализа осцилляций Шубникова-де Гааза (ШдГ) и зависимости компонент тензора магнетосопротивления в рамках классической модели с двумя типами носителей определена барическая зависимость концентраций электронов и дырок. Показано, что под давлением происходит переход от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости.

M.W. Wang, D.A. Collins, T.C. McGill. J. Vac. Sci. Technol. B11, 4, 1418 (1993)
J.R. Waterman, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner, M.J. Yang, J.L. Davis, J.P. Omaggio. Semicond. Sci. Technol. 8, S106 (1993)
C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett. 60, 11, 1854 (1992)
C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English. J. Vac. Sci. Techn. B10, 2, 898 (1992)
J. Beerens, G. Gregoris, J.C. Portal, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B36, 9, 4742 (1987)
S. Holmes, W.T. Yuen, T. Malik, S.J. Chang, A.G. Norman, R.A. Stradling, J.J. Harris, D.K. Maude, J.C. Portal. J. Phys. Chem. Sol. 56, 3/4, 445 (1995)
M.E. Raikh. Solid State Commun. 75, 11, 935 (1990)
M.E. Raikh, L.I. Glazman. Phys. Rev. Lett. 75, 1, 128 (1995)
M.S. Daly, D.M. Symons, M. Lakrimi, R.J. Nicholas, N.J. Mason, P.J. Walker. Semicond. Sci. Techn. 11, 823 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель