c-ориентированные пленки SrBi2Nb2O9, выращенные на YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3 и NdGaO3
Бойков Ю.А., Иванов З.Г.1, Эртс Д.2, Пронин И.П., Клаесон Т.1, Шаплыгина Т.А.
1Physics Department, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
2Institute of Chemical Physics, University of Latvia, Riga, Latvia Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Эпитаксиальные пленки SrBi2Nb2O9, ориентированные осью c перпендикулярно плоскости подложки, были выращены методом лазерного испарения на поверхности (001)YBa2Cu3O7-delta/(100)SrTiO3 и (001)NdGaO3. Послойный рост пленок SrBi2Nb2O9 при высоте ступеней роста 25 Angstrem удалось реализовать на подложке NdGaO3 при температурах конденсации 700 oC. Микровключения побочных фаз и a-ориентированные зерна были обнаружены на поверхности пленок (001)SrBi2Nb2O9, сформированных на (001)YBa2Cu3O7-delta/(100)SrTiO3. Диэлектрическая проницаемость пленок SrBi2Nb2O9, измеренная вдоль оси c, равнялась 123 (T=300 K, f=100 kHz), а tgdelta~0.04.
- S.B. Desu, D.P. Vijay. Mat. Sci. Eng. B32, 1, (1995)
- K. Amanuma, T. Hase, Y. Miyasaka. Appl. Phys. Lett. 66, 2, 221 (1995)
- J.J. Lee, C.L. Thio, S.B. Desu. J. Appl. Phys. 78, 8, 5073 (1995)
- S.B. Desu, T. Li. Mat. Sci. Eng. B34, 1, L4 (1995)
- M. Keijser, J.F.M. Cillessen, R.B.F. Janssen, A.E.M. Veirman, D.M. Leeuw. J. Appl. Phys. 79, 1, 393 (1996)
- H.M. Duiker, P.D. Beale, J.F. Scott, C.A. Paz de Araujo, B.M. Melnick, J.D. Cuchiaro, L.D. McMillan. J. Appl. Phys. 68, 11, 5783 (1990)
- E.C. Subbarao. J. Phys. Chem. Sol. 23, 2, 665 (1962)
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А, Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
- Ю.А. Бойков, З.Г. Иванов, Е. Олсон, В.А. Данилов, Т. Клаесон, М. Щеглов, Д. Эртс. ФТТ 37, 3, 880 (1995)
- C.T. Cheung, E. Ruckenstein. J.Mat. Res. 4, 1, 1 (1989)
- A. Fouskova, L.E. Cross. J. Appl. Phys. 41, 7, 2834 (1970)
- M. Tachuki, M. Matsutani, T. Fujii, Y. Sakaguchi. Jpn. Appl. Phys. 34, 9A, L1145 (1995)
- I.M. Reaney, M. Roulin, H.S. Shulman, N. Setter. Ferroelectrics 165, 295 (1995)
- S.S. Gevorgian, T. Martinsson, P.L.J. Linner, E.L. Kollberg. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. In press
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
