Вышедшие номера
Спектры внутризонной люминесценции диэлектриков и полупроводников, возбуждаемых импульсными пучками электронов или электрическим полем
Савихин Ф.А.1, Васильченко В.П.2
1Институт физики Академии наук Эстонии, EE Тарту, Эстония
2Тартуский университет, EE Тарту, Эстония
Поступила в редакцию: 18 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

В температурном интервале 80--760 K выявлены особенности спектров внутризонной люминесценции широкощелевых диэлектриков (KI, KBr, CsCl и др.) и полупроводников (GaP, CdS, alpha-SiC и ZnS). Спектры внутризонной люминесценции сопоставлены со спектрами предпробойной электролюминесценции поверхностно-барьерных диодных структур GaP и alpha-SiC и электролюминесцентного индикатора с пленкой ZnS. В щелочно-галоидных кристаллах коротковолновая граница внутризонной люминесценции hnum меньше ширины запрещенной зоны Eg и определяется сложными экситонными процессами. В полупроводниках с непрямыми переходами hnum>Eg. Различия в спектрах внутризонной люминесценции и внутризонной предпробойной электролюминесценции объясняются разным распределением горячих носителей заряда по уровням разрешенных зон и разной максимальной энергией носителей, участвующих в формировании спектров.
  1. Д.И. Вайсбурд, Б.Н. Семин, Э.Г. Таванов и др. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Наука, Новосибирск (1982). 227 с
  2. Д.И. Вайсбурд, Б.Н. Семин. Изв. РАН. Сер. физ. 56, 2, 103 (1992)
  3. В.В. Мюрк. Тр. ИФ АН ЭССР 53, 122 (1982)
  4. И.В. Битов, Ф.А. Савихин. Тр. ИФ АН ЭССР 61, 93 (1987)
  5. К.У. Ибрагимов, Ф.А. Савихин. ФТТ 35, 6, 1474 (1993)
  6. A. Lushchik, E. Feldbach, A. Frorip, K. Ibragimov, F. Savikhin, Ch. Lushchik. J. Lumin. 63, 273 (1995)
  7. Э.Д. Алукер, В.В. Гаврилов, Р.Г. Дейч, С.А. Чернов. Письма в ЖЭТФ 47, 2, 116 (1988)
  8. Д.И. Вайсбурд, П.А. Пальянов, Б.Н. Семин. ДАН 333, 4, 452 (1993)
  9. Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик, Е.А. Васильченко, Ф.А. Савихин. ФТТ 37, 2, 525 (1995)
  10. И.В. Битов, И.А. Мерилоо, Ф.А. Савихин. Тр. ИФ АН ЭССР 67, 7 (1990)
  11. Ч.Б. Лущик, Ф.А. Савихин, Е.Х. Фельдбах, И.А. Мерилоо. ФНТ 17, 10, 687 (1991)
  12. R. Neuman. Phys. Rev. 100, 2, 700 (1995)
  13. Л.А. Косяченко. ЖТФ 52, 4, 779 (1982)
  14. Л.А. Косяченко. Учен. зап. ТГУ 665, 12 (1983)
  15. Э.Р. Ильмас, Ч.Б. Лущик. Тр. ИФ АН ЭССР 34, 5 (1965)
  16. A. Lushchik, Ch. Lushchik, F. Savikhin, E. Vasil'chenko. Rad. Effects and Defects in Solids 135, 263 (1995)
  17. Н.Е. Лущик, А.А. Маароос, О.А. Никифорова, А.Г. Фрорип, Н.А. Яансон. Тр. ИФ АН ЭССР 61, 7 (1987)
  18. Разработка и применение источников интенсивных электронных пучков / Под ред. Г.А. Месяца. Новосибирск (1976). 235 с
  19. T. Tomiki, T. Miyata, H. Tsukamoto. Z. Naturforsch. 29a, 1, 145 (1974)
  20. M.N. Kabler. Phys. Rev. 136, 5A, 1296 (1964)
  21. I.M. Blair, D. Pooley, D. Smith. J. Phys. C: Solid State Phys. 5, 12, 1537 (1972)
  22. A. Lushchik, E. Feldbach, R. Kink, Ch. Lushchik, M. Kirm, I. Martinson. Phys. Rev. B53, 9, 5379 (1996)
  23. R.T. Williams, M.N. Kabler. Solid State Commun. 10, 1, 49 (1972)
  24. Lu Yi, Sah Chih-Tang. Phys. Rev. B52, 8, 5657 (1995)
  25. В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. М. (1963). С. 78
  26. A.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev. 102, 2, 369 (1956)
  27. Г.Ф. Холуянов. ФТТ 3, 11, 3314 (1961)
  28. В.П. Васильченко, Л.Л. Матизен, М.А. Войханский. Учен. зап. ТГУ 779, 32 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.