Вышедшие номера
Переключения тока в бистабильных структурах: высоколегированный n+-поликремний--туннельно-прозрачный окисный слой--n-кремний
Осипов В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

В структурах высоколегированный n+-поликремний--туннельно-тонкий окисел--n-кремний наблюдается эффект переключения из состояния с режимом стационарного неравновесного обеднения и малой величиной протекающего тока во "включенное" состояние с большой величиной протекающего тока и малым падением напряжения на структуре. Структуры изготовлялись на подложках из n-кремния с удельным сопротивлением 25 Omega·cm. Переключение структуры с толщиной окисла 23 Angstrem может осуществляться как под действием импульса излучения при малой величине обратного смещения на структуре (50 V), так и в темновых условиях путем повышения обратного смещения до 250--300 V. Во "включенном" состоянии в качестве внутренного источника неосновных носителей, необходимого для компенсации туннельной утечки дырок в n+-поликремний и поддержания квазиравновесного инверсионного слоя дырок на границе n-Si--SiO2, выступает процесс Оже-генерации носителей.
  1. S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett. 38, 1, 41 (1981)
  2. E.R. Fossum, R.C. Barker. IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 9, 1168 (1984)
  3. А.Я. Вуль, Т.Л. Макарова, В.Ю. Осипов, Ю.С. Зинчик, С.К. Бойцов. ФТП 26, 1, 111 (1992)
  4. С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов. Микроэлектроника 24, 1, 13 (1995)
  5. С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов, Т.Л. Макарова. Микроэлектроника 22, 5, 86 (1993)
  6. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП 28, 8, 1411 (1994)
  7. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, А.В. Саченко. ФТП 26, 2, 295 (1992)
  8. С.К. Бойцов, А.Я. Вуль, В.Ю. Осипов, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТТ 33, 6, 1784 (1991)
  9. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, В.Ю. Осипов, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТП 26, 1, 146 (1992)
  10. С.К. Бойцов, Т.Л. Макарова, В.Ю. Осипов. ФТТ 34, 5, 1475 (1992)
  11. С.К. Бойцов, В.Ю. Осипов. Микроэлектроника 23, 3, 90 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.