Теоретически рассмотрен процесс ударной ионизации электронами состояний в зоне тяжелых дырок в узкощелевом полупроводнике p-типа с кейновским законом дисперсии энергетических зон при условии, что уровень Ферми дырок расположен в валентной зоне. Определена зависимость минимальной энергии электрона для процесса ионизации состояния на уровне Ферми в валентной зоне. Рассчитана вероятность ударной ионизации для электронов с энергией, близкой к пороговой, в случае, когда импульс Ферми тяжелой дырки превышает пороговый импульс дырки для данного процесса ионизации. Найдены соотношения между температурами дырок и электронов с энергией порядка пороговой, которые определяют область применимости полученных результатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.