Методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии обнаружено изменение характера энергетического распределения валентных состояний кремния после отжига пленок a-Si : H при температуре 500^oC. Это выражается в появлении трех четких максимумов плотности состояний на расстоянии 3.5, 7.2 и 10.2 eV от потолка валентной зоны, что свидетельствует об упорядочении структурной сетки a-Si : H. Энергетическое расстояние между максимумами (E-E_v=7.2 и 10.2 eV) подтверждает электронографические данные об уменьшении межатомного расстояния кремний-кремний на 0.2 Angstrem по сравнению с кристаллом. Наличие третьего максимума (E-E_v=3.5 eV) связано с изменением характера гибридизации s-p-функций кремния при уменьшении координационного числа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.