Вышедшие номера
Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего порядка в аморфных пленках гидрированного кремния
Терехов В.А.1, Хохлов А.Ф.2, Ковалева Н.С.1, Кашкаров В.М.1, Хохлов Д.А.2, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии обнаружено изменение характера энергетического распределения валентных состояний кремния после отжига пленок a-Si : H при температуре 500oC. Это выражается в появлении трех четких максимумов плотности состояний на расстоянии 3.5, 7.2 и 10.2 eV от потолка валентной зоны, что свидетельствует об упорядочении структурной сетки a-Si : H. Энергетическое расстояние между максимумами (E-Ev=7.2 и 10.2 eV) подтверждает электронографические данные об уменьшении межатомного расстояния кремний--кремний на 0.2 Angstrem по сравнению с кристаллом. Наличие третьего максимума (E-Ev=3.5 eV) связано с изменением характера гибридизации s-p-функций кремния при уменьшении координационного числа.
  1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. И. Хамакавы. Металлургия, М. (1986). 375 с.
  2. W. Beyor. Tetrahedrally Bound Amorphous Semiconductors / Ed. D. Adler and H. Fritzsche. Plenum Press, N.Y. (1985). P. 129
  3. А.Ф. Хохлов, В. Байер, Д.А. Павлов, Г. Вагнер. Высокочистые вещества, 3, 79 (1991)
  4. V.A. Terekhov, S.N. Trostyanskii, E.P. Domashevskaya, O.A. Golikova, M.M. Mezdrogina, K.L. Sorokina, M.M. Kazanin. Phys. Stat. Sol. (b) 138, 2, 647 (1986)
  5. E.P. Domashevskaya, O.A. Golikova, V.A. Terekhov, S.N. Trostyanskii. J. Non-Cryst. Sol. 90, 135 (1987).
  6. В.А. Терехов, С.Н. Тростянский, А.Е. Селезнев, Э.П. Домашевская. Поверхность. Физика, химия, механика, 5, 74 (1988)
  7. В.А. Терехов, С.Н. Тростянский, А.Н. Лукин, Н.Н. Макеева, Э.П. Домашевская. В кн: Аморфный кремний и структуры на его основе. Матер. междунар. конф. "Некристаллические полупроводники-89". Ужгород (1989). Т. 3. С. 41--43
  8. Н.Н. Макеева, И.С. Суровцев, В.А. Терехов, В.З. Анохин. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 23, 6, 924 (1987)
  9. A.I. Agafonov, E.P. Domashevskaya, E.N. Desyatirikova, V.N. Seleznev, V.A. Terekhov, G.G. Eldarov. J. Non-Cryst. Sol. 97\&98, 827 (1987)
  10. Э.П. Домашевская, И.Я. Миттова, Н.И. Пономарева, В.А. Терехов, В.М. Андреещев. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 138 (1985)
  11. L. Ley, R.A. Pollak, S.P. Kowalzyk, R. Mc. Feely, D.A. Shirley. Phys. Rev. B8, 2, 641 (1973)
  12. Э.П. Домашевская. Докт. дис. Воронеж (1978). 293 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.