Издателям
Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс скандия в карбиде кремния
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Роенков А.Д.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

В кристаллах 6H-SiC с примесью скандия обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия и ионов Sc2+ (3d). Спектры ЭПР акцепторов скандия характеризуются сравнительно малыми константами сверхтонкого взаимодействия, соответствующими по своим значениям константам для других элементов группы III в SiC, акцепторов бора, алюминия и галлия. Спектры ЭПР акцепторов скандия претерпевают существенные изменения в области температур 20--30 K. В низкотемпературной фазе спектры ЭПР характеризуются орторомбической симметрией, тогда как высокотемпературная фаза имеет более высокую аксиальную симметрию. Спектры ЭПР, появляющиеся при температурах выше 35 K и приписанные нами ионам Sc2+ (3d), или A2--состоянию скандия, имеют существенно большие константы сверхтонкой структуры и более узкие линии по сравнению со спектрами ЭПР акцепторов скандия. Параметры этих спектров ЭПР близки к параметрам Sc2+ (3d) в ионных кристаллах и ZnS, тогда как параметры спектров ЭПР акцепторов скандия больше соответствуют параметрам дырок, локализованных на атомах третьей группы, в частности на атомах скандия в GeO2. Сделан вывод о том, что атомы скандия во всех центрах занимают позицию кремния.
  • Х. Вахмер, Ю.М. Таиров. ФТТ 11, 8, 2400 (1969)
  • Г.А. Ломакина, В.И. Соколов, Ю.А. Водаков. ФТП 16, 7, 1244 (1982)
  • В.С. Балландович. ФТП 25, 2, 287 (1991)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 164
  • P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. World Scientific, Singapore (1990). V. 3. P. 1855
  • P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Mag. Res. 2, 361 (1991)
  • P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mat. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992)
  • П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 1446 (1966)
  • P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Proc. 23d Int. Conf. on Physics of Semicond. Berlin (1996); P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Proc. 7th Int. Conf. on Shallow-Level Centers in Semicond. Amsterdam (1996)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-1973. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn. 14, 729 (1979).
  • U.T. Hochli. Phys. Rev. 162, 262 (1967)
  • J.R. Herrington, T.L. Estle, L.A. Boatner. Phys. Rev. B5, 2500 (1972); J.R. Herrington, L.A. Boatner, T.J. Aton, T.L. Estle. Phys. Rev. B10, 833 (1974)
  • A.O. Barksdale, T.L. Estle. Phys. Lett. 42A, 426 (1973)
  • R.B. Bossoli, T.J. Welsh, O.R. Gilliam, M. Stapelbroek. Phys. Rev. B19, 4376 (1979)
  • P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994).
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. In press (1996)
  • В.С. Вайнер, В.А. Ильин, В.А. Карачинов, Ю.М. Таиров. ФТТ 28, 2, 363 (1986)
  • K. Maier, J. Schneider, W. Wilkening, S. Leibenzeder, R. Stein. Mater. Sci. Eng. B11, 27 (1992)
  • K.M. Lee, Dand Le Si, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
  • C. Haberstroh. University of Erlangen-Nurnberg. Ph. D thesis (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.