Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс скандия в карбиде кремния
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Роенков А.Д.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

В кристаллах 6H-SiC с примесью скандия обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия и ионов Sc2+ (3d). Спектры ЭПР акцепторов скандия характеризуются сравнительно малыми константами сверхтонкого взаимодействия, соответствующими по своим значениям константам для других элементов группы III в SiC, акцепторов бора, алюминия и галлия. Спектры ЭПР акцепторов скандия претерпевают существенные изменения в области температур 20--30 K. В низкотемпературной фазе спектры ЭПР характеризуются орторомбической симметрией, тогда как высокотемпературная фаза имеет более высокую аксиальную симметрию. Спектры ЭПР, появляющиеся при температурах выше 35 K и приписанные нами ионам Sc2+ (3d), или A2--состоянию скандия, имеют существенно большие константы сверхтонкой структуры и более узкие линии по сравнению со спектрами ЭПР акцепторов скандия. Параметры этих спектров ЭПР близки к параметрам Sc2+ (3d) в ионных кристаллах и ZnS, тогда как параметры спектров ЭПР акцепторов скандия больше соответствуют параметрам дырок, локализованных на атомах третьей группы, в частности на атомах скандия в GeO2. Сделан вывод о том, что атомы скандия во всех центрах занимают позицию кремния.
  1. Х. Вахмер, Ю.М. Таиров. ФТТ 11, 8, 2400 (1969)
  2. Г.А. Ломакина, В.И. Соколов, Ю.А. Водаков. ФТП 16, 7, 1244 (1982)
  3. В.С. Балландович. ФТП 25, 2, 287 (1991)
  4. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 164
  5. P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. World Scientific, Singapore (1990). V. 3. P. 1855
  6. P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Mag. Res. 2, 361 (1991)
  7. P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mat. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992)
  8. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 1446 (1966)
  9. P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Proc. 23d Int. Conf. on Physics of Semicond. Berlin (1996); P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Proc. 7th Int. Conf. on Shallow-Level Centers in Semicond. Amsterdam (1996)
  10. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-1973. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519
  11. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn. 14, 729 (1979).
  12. U.T. Hochli. Phys. Rev. 162, 262 (1967)
  13. J.R. Herrington, T.L. Estle, L.A. Boatner. Phys. Rev. B5, 2500 (1972); J.R. Herrington, L.A. Boatner, T.J. Aton, T.L. Estle. Phys. Rev. B10, 833 (1974)
  14. A.O. Barksdale, T.L. Estle. Phys. Lett. 42A, 426 (1973)
  15. R.B. Bossoli, T.J. Welsh, O.R. Gilliam, M. Stapelbroek. Phys. Rev. B19, 4376 (1979)
  16. P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994).
  17. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. In press (1996)
  18. В.С. Вайнер, В.А. Ильин, В.А. Карачинов, Ю.М. Таиров. ФТТ 28, 2, 363 (1986)
  19. K. Maier, J. Schneider, W. Wilkening, S. Leibenzeder, R. Stein. Mater. Sci. Eng. B11, 27 (1992)
  20. K.M. Lee, Dand Le Si, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
  21. C. Haberstroh. University of Erlangen-Nurnberg. Ph. D thesis (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.