Особенности фононного рассеяния при дифракции электронов на колеблющейся решетке кристалла
Подсвиров О.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
В отличие от широко известного метода жестких потенциалов, рассмотрена дифракция электронов на деформационном (мягком) потенциале, учитывающем свойство упругой деформируемости непрерывного распределения зарядовой плотности в кристалле. Это свойство в случае теплового "уширения" кристаллических плоскостей в металле приводит к разрывам на границах зон Бриллюэна в спектре электрон-фононного рассеяния и к эффекту частичного подавления такого рассеяния в старших зонах (или усиления - в первой зоне).
- S. Takagi. Proc. Soc. Jap. 13, 2, 278, 287 (1958)
- J. Bardeen, W. Shockley. Phys. Rev. 80, 1, 72 (1950)
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. М. (1966). 416 с. (J.M. Ziman. Principles of the theory of solids. University Press. Cambridge (1964))
- Р. Джеймс. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М. (1950). 572 с. (R.W. James. The optical principles of the diffraction of X-rays. G. Bell and Sons. London (1948))
- П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэллан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М. (1968). 575 с. (P.B. Hirsch, A. Howie, R.B. Nicholson, D.M. Pashley, M.J. Whelan. Electron microscopy of the thin crystals. Butterworths. London (1965))
- C.J. Humphreys, J.S. Lally. J. Appl. Phys. 41, 1, 232 (1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук