Экспериментально исследована эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. При энергиях фотонов, меньших ширины запрещенной зоны GaN, когда эмиссия электронов обусловлена фотовозбуждением поверхностных и приповерхностных состояний, приращение энергии баллистических электронов равно приращению энергии возбуждающих фотонов, что подтверждает бездисперсионный характер начальных состояний. При энергиях фотонов, больших ширины запрещенной зоны, избыточная энергия света распределяется между кинетическими энергиями баллистических фотоэлектронов и дырок в зависимости от их эффективных масс. Эта закономерность была использована для определения эффективной массы дырок вдоль направления оси c кристаллической решетки GaN со структурой вюрцита, оказавшейся равной m^*_h|=(0.60±0.15)m₀. Работа выполнена при поддержке Российской академии наук (программа СО РАН N 9.1) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16639). PACS: 79.60.-i, 85.60.Dw

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.