Вышедшие номера
Люминесцентные исследования кубического нитрида бора, легированного бериллием
Шишонок Е.М.1, Taniguchi T.2, Sekiguchi T.3
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Advanced Laboratory, NIMS, Tsukuba, Japan
3NIMS, Tsukuba, Japan
Email: shishonok@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 6 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы спектры катодолюминесценции и фотолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от ~ 315 до ~ 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах донорного и акцепторного типов. Сделано предположение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2.135, 2.27 и 2.60 eV. Работа выполнена в рамках проекта 6-15 ГКПНИ "Нанометриалы и нанотехнологии" 2006-2010 гг. (Белоруссия) с использованием некоторых данных, полученных в рамках работы Е.М. Шишонок по STA grant (Japan). PACS: 71.55.Eq, 74.25.Gz, 78.60.Hk, 78.55.-m
  1. E.M. Shishonok, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Haneda, H. Kanda. Diamond Related Mater. 12, 1133 (2003)
  2. Е.М. Шишонок. ЖПС 71, 803 (2004)
  3. K. Era, O. Mishima. Mat. Res. Symp. Proc. 162, 556 (1990)
  4. E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Abstracts Int. Conf. "Doping issues in wide band-gap semiconductors". Exeter, U. K. (2001). P. 7
  5. Н.Д. Тяпкина, М.М. Кривополенова, В.С. Вавилов. ФТТ 6, 2192 (1964)
  6. J.B. Robertson, R.K. Franks. Solid State Commun. 6, 625 (1967)
  7. J.B. Robertson. Bull. Am. Phys. Soc. 13, A 1475 (1968)
  8. R.K. Franks, J.B. Robertson. Solid State Commun. 6, 479 (1967)
  9. T. Taniguchi, J. Tanaka, O. Mishima, T. Ohsawa, S. Yamaoka. Diamond Related Mater. 2, 1473 (1993)
  10. L.M. Gameza. High Press. Res. 18, 373 (2000)
  11. P. Piquini, R. Mota, T. Schmidt, A. Fazzio. Phys. Rev. B 56, 3556 (1997)
  12. V.A. Gubanov, Z.W. Lu, B.M. Klein, C.Y. Fong. Phys. Rev. B 53, 4377 (1996)
  13. I.A. Huward. Solid State Commun. 99, 697 (1996)
  14. L.P. Castineira, T.R. Leite, J.L.F. Silva, L.M.R. Scolfard, J.L.A. Alves, H.W.L. Alves. Phys. Stat. Sol. (b) 210, 401 (1998)
  15. I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christiansen. Nitride Semiconductor Res. Internet journal. 3, article 48 (1998)
  16. W. Hayes, A. Spray. Proc. Int. Conf. "Localized exitation in solids". N. Y. (1968). P. 140
  17. B. Clerjaud, D. Cfte, C. Naud, R. Bouanani-Rahbi, D. Wasik, T. Suski, E. Litwin-Staszevska, M. Bockowski, I. Grzrgory. Abstarcts Int. Conf. "Doping issues in wide band-gap semiconductors". Exeter, U. K. (2001). P. 4
  18. Е.М. Шишонок, В.Б. Шипило, А.М. Зайцев, Н.Г. Аниченко. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 1651 (1990)
  19. Е.М. Шишонок, В.Б. Шипило, А.И. Лукомский. ЖПС 53, 552 (1990)
  20. A.M. Zaitsev, A.A. Melnikov, E.M. Shishonok, V.B. Shipilo. Phys. Stat. Sol. (a) 94, 125 (1985)
  21. E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Diamond Related Mater. 11, 1774 (2002)
  22. S.J. Chung, O.H. Cha, C.-H. Hong, E.-K. Suh, B.H. Kim. J. Corea Phys. Soc. 37, 1003 (2000)
  23. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М. (1973). 456 с
  24. N.M. Gasanly, A. Serpenguzel, A. Audini, O. Gurtu, I. Yilmaz. J. Appl. Phys. 85, 3198 (1999)
  25. X.D. Chen, C.C. Ling, S. Fung, C.D. Beling, M. Gong, T. Henkel, H. Tanoue, N. Kobajashi. J. Appl. Phys. 93, 3117 (2003)
  26. Е.М. Шишонок, Дж. Стидс. ЖПС 70, 651 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.