Термоэдс композитов металлических наночастиц Со в аморфной диэлектрической матрице Al2On
Белоусов В.А.1, Грановский А.Б.2, Калинин Ю.Е.1, Ситников А.В.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: kalinin48@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Исследованы концентрационные и температурные зависимости термоэдс композитов с наночастицами Со в диэлектрической матрице Al2On. Для композитов до порога протекания, т. е. в области реализации туннельной проводимости, абсолютные значения термоэдс меньше абсолютных значений термоэдс за порогом протекания. В области туннельной проводимости при температуре ~ 205 K отмечается изменение угла наклона температурных зависимостей термоэдс, что может свидетельствовать о ее чувствительности к смене механизма проводимости от закона Мотта ln(sigma) propto (1/T)1/4 к степенной зависимости, соответствующей модели неупругого резонансного туннелирования через цепочку локализованных состояний диэлектрической матрицы. Введение в процессе напыления кислорода приводит к понижению абсолютных значений термоэдс, при этом характер изменения концентрационных и температурных зависимостей не изменяется. Работа выполнена при частичном финансировании Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-81035) и гранта МО и CRDF (проект PG 05-010-1). PACS: 72.20.Pa, 72.80.Tm, 73.90.+f
- О.В. Стогней, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, И.В. Золотухин, А.В. Слюсарев. ФММ 91, 24 (2001)
- A.B. Pakhomov, X. Yan, B. Zhao. Appl. Phys. Lett. 67, 3497 (1995)
- Б.А. Аронзон, А.Е. Варфоломеев, А.А. Ликальтер, В.В. Рыльков, М.В. Седова. ФТТ 41, 944 (1999)
- А. Грановский, И. Быков, Е. Ганьшина, В. Гущин, М. Инуе, Ю. Калинин, А. Козлов, А. Юрасов. ЖЭТФ 123, 1256 (2003)
- А. Грановский, Х. Сато, Ю. Айоки, А. Юрасов. ФТТ 44, 2001 (2002)
- H. Sato, Y. Kobayashi, K. Hashimoto, Y. Aoki, H. Sugawara, S. Mitani, H. Fujimori, S. Ohnuma. J. Phys. Soc. Jap. 7, 2193 (1998)
- X.N. Jing, X. Yan. J. Appl. Phys. 83, 6530 (1998)
- W. Chen, J. Lin, X. Zhang, H. Shin, J. Dyck, C. Uher. J. Appl. Phys. Lett. 81, 523 (2002)
- M. Ohnuma, K. Hono, E. Abe, H. Onodera, S. Mitani, H. Fujimori. J. Appl. Phys. 82, 5646 (1997)
- О.В. Стогней, А.В. Ситников, Ю.Е. Калинин, С.Ф. Авдеев, М.Н. Копытин. ФТТ 49, 158 (2007)
- Ю.Е. Калинин, А.Т. Пономаренко, А.В. Ситников, О.В. Стогней. Физика и химия обраб. материалов 5, 14 (2001)
- Л.В. Луцев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. ФТТ 44, 1802 (2002)
- D.J. Bergman, O. Levy. J. Appl. Phys. 70, 6821 (1991)
- Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. Наук. думка, Киев (1979). 766 с
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 368 с
- Ю.Е. Калинин, А.Н.Ремизов, А.В. Ситников. ФТТ 46, 2076 (2004)
- Л.И. Глазман, К.А. Матвеев. ЖЭТФ 94, 6 332 (1988)
- Л.И. Глазман, Р.И. Шехтер. ЖЭТФ 94, 1 292 (1988)
- Л.В. Луцев, Т.Е. Звонарева, В.М. Лебедев. Письма в ЖТФ 27, 15, 84 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.