Вышедшие номера
Влияние вторичных электронов на выход электронно-стимулированной десорбции нейтральных атомов в зависимости от локализации остовных возбуждений в подложке
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.К.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: adslab@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Выполнен сравнительный анализ изменения выхода электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) нейтральных частиц из слоев атомов щелочных металлов и Ba, нанесенных на поверхность металла, покрытого пленкой кислорода (O/W, O/Mo) или германия (Ge/W), в зависимости от энергии E пучка облучающих электронов. Выход q(E) атомов сравнивается с сечениями ионизации тех остовных уровней, потенциалы ионизации которых совпадают с порогами выхода ЭСД атомов. Обсуждаются три типа зависимостей q(E) и выявляется роль вторичных электронов, образованных в подложке при ее облучении электронами, в каждом типе зависимости выхода ЭСД от E. Анализ проводится на основе экспериментальных работ авторов, выполненных в последние годы, начиная с 1991 г. Показано, что тип зависимости q(E) определяется как местом локализации атома, возбуждаемого электронным пучком, так и степенью локализованности остовного возбуждения, приводящего к ЭСД. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям (госконтракт N 02.434.11.2027). PACS: 68.43.Rs, 68.47.De, 79.20.La