Вышедшие номера
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.2,3, Неведомский В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Устинов В.М.1,2
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллитов. Работа выполнена при поддержке РФФИ и программы РАН. Один из авторов (А.А.Т.) благодарит Минобрнауки РФ за поддержку проекта "Полупроводниковые наноструктуры --- новые физические эффекты и приборы на их основе". PACS: 68.70.+w, 61.14.Hg, 81.05.Ea, 81.07.-b, 81.15.Hi
  1. Y. Li, J. Xiang, F. Quang, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D.A. Blom, C.M. Lieber. Nanoletters 6, 1468 (2006)
  2. B.J. Ohlsson. M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett. 79, 3335 (2001)
  3. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002)
  4. H. Sakaki. Jpn. J. Appl. Phys. 19, L 735 (1980)
  5. R.B. Marcus, T.S. Ravi, T. Gimmer, K. Chin, D. Liu, W.J. Orvis, D.R. Ciarlo, C.E. Hunt, J. Trujillo. Appl. Phys. Lett. 56, 236 (1990)
  6. E.I. Givargizov, A.N. Stepanova, L.N. Obolenskaya, E.S. Mashkova, V.A. Molchanov, M.E. Givargizov, I.W. Rangelov. Ultramicroscopy 82, 57 (2000)
  7. C.M. Lieber. Nature Biotechnology 23, 1294 (2005)
  8. Q. Wan, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, X.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
  9. Y.-K. Choi, J.S. Lee, J. Zhu, G.A. Somorjai, L.P. Lee, J. Bokor. J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2951 (2003)
  10. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Goesele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett. 84, 4968 (2004)
  11. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 587 (2005)
  12. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth 289, 31 (2006)
  13. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ 48, 737 (2006)
  14. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 105 325 (2005)
  15. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 2121 (2005)
  16. И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ 30, 29 (2004)
  17. J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett. 87, 203 101 (2005)
  18. Л. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Мир, М. (1989)
  19. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi et al. J. Appl. Phys. 74, 3162 (1993)
  20. К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, эксперимент, практика. Мир, М.(1990)
  21. И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП 35, 361 (2001)
  22. E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth 20, 217 (1973)
  23. Е.И. Гиваргизов. Кристаллография 20, 812 (1975).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.