Показано, что при растяжении монокристаллического кремния в кристаллографическом направлении [111] кольцевые гексавакансии - вакансионные кластеры V₆ (центры B⁴₈₀) - ориентируются в направлениях [-111], [-1-11], [1-11]. Этот эффект объяснен сменой знака относительного изменения длины <110>-связей V₆ при растяжении кристалла в направлении [111] по отношению к случаю сжатия в этом же направлении. Получены зависимости отношений интенсивностей I₁/I₂ линий X⁴₈₀(J₁) и X⁴₇₂(J₂) рекомбинационного излучения экситонов, связанных на V₆, характеризующие степень ориентации V₆, от давления, воздействующего на V₆ в условиях сжатия и растяжения кремния. Предложен метод ориентации V₆, получаемой одновременно в условиях и сжатия, и растяжения кристалла при его изгибе. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 05-02-16368). PACS: 71.55.-i, 71.35.-y

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.