Вышедшие номера
Фотолюминесценция слоев SiO2, приготовленных на пленках beta-SiC, и анализ их элементного состава
Данишевский А.М.1, Лебедев В.М.2, Рогачев А.Ю.1, Шуман В.Б.1, Ситникова А.А.1, Золотарева Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Email: Alex.D@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Исследуются спектры импульсной, разрешенной во времени фотолюминесценции (ФЛ) окисленных слоев, полученных электрохимическим окислением на пленках SiC/Si. Анализ их элементного состава, проведенный с помощью методов обратного резерфордовского рассеяния и ядерных реакций, показал, что в окисле остается определенная часть атомов углерода. Особенности параметров спектральных полос и их кинетик во времени связываются авторами именно с наличием равномерно распределенного в окисле углерода. С использованием электронной микроскопии изучены структуры окислов при различных длительностях окисления. Сделаны заключения о возможных центрах излучения ФЛ. PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv, 78.55.Qr