Вышедшие номера
Морфология гетероэпитаксиальных пленок beta-SiC, выращенных на Si(111) методом химической конверсии в вакууме из паров гексана
Орлов Л.К.1, Дроздов Ю.Н.1, Шевцов В.Б.1, Боженкин В.А.2, Вдовин В.И.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгенодифракционного анализа изучаются характеристики слоев кубического карбида кремния, выращенных на кремнии методом химической конверсии в вакууме из паров гексана. Проведен анализ морфологии поверхности и структуры пленок в зависимости от толщины осажденных пленок и вида используемой подложки (кремний или сапфир). На основе проведенных исследований обсуждается роль различных диффузионных потоков, возникающих в структуре, и связанные с ними возможные механизмы роста слоя карбида кремния beta-SiC на кремнии. Работа выполнена при финансовой поддержке Международного научно-технологического центра, на средства которого была частично изготовлена и запущена газовая вакуумная технологическая установка (проект N 2372). PACS: 68.35.Ct, 68.37.-d
  1. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 1096 (1999)
  2. A. Yamamoto, T. Kobayshi, T. Yamauchi, M. Sasase, A. Yashimoto, Y. Ito. Phys. Stat. Sol. (c) 2, 2281 (2005)
  3. K.M. Jagadesh, C.L. Reddy. IEE Proc. Circuits, Devices and Syst. 151 399 (2004)
  4. Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.Е. Курочкин, В.А. Холоднов. ФТП 34, 1010 (2000)
  5. Jin Ruiying, Chen Zhiming, Pu Hongbin, Sui Xiaohong. Acta Photon. Sin. 34, 205 (2005)
  6. W.T. Hsieh, Y.K. Fand, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho, J.D. Hwang. Electron. Lett. 36, 86 (2000)
  7. I.H. Khan. Proc. Int. Conf. Silicon Carbide. Pennsylvania (1968). P. 285. [Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. Мир, М. (1972). С. 106]
  8. R.W. Bartlett, R.A. Mueller. Ibid. P. 341. [Там же С. 80]
  9. I.H. Khan, R.N. Summergrad. Appl. Phys. Lett. 11, 12 (1967)
  10. W. Von Munch, U. Ruhnau. J. Cryst. Growth 158, 491 (1996)
  11. R. Rupp, P. Lanig, D. Stephani, J. Volkl. J. Cryst. Growth 146, 37 (1995)
  12. В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский, А.А. Лебедев. ФТП 35, 1169 (2001)
  13. N. Herbots, P. Ye, H. Jacobsson, J. Xiang, S. Hearne. N. Cave. Appl. Phys. Lett. 68, 782 (1996)
  14. D.D. Koleske, S.M. Gates. J. Appl. Phys. 76, 1615 (1994)
  15. Л.К. Орлов, О.А. Кузнецов, Н.Г. Калугин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.И. Вдовин, М.Г. Мильвидский. ФТТ 36, 726 (1994)
  16. B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett. 59, 3574 (1991)
  17. M.I. Larsson, Wei-Xin Ni, K. Joelsson, G.V. Hansson. Appl. Phys. Lett. 65, 1409 (1994)
  18. D.J. Smith, D. Chandrasekhar, S.A. Chaparro, P.A. Crozier, J. Drucker, M. Floyd, M.R. McCartney, Y. Zhang. J. Cryst. Growth 259, 232 (2003)
  19. L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond (ISCS-23). St. Petersburg, Russia (1996). Inst. of Phys. ublishing, Bristol and Philadelphia (1997). Vol. 155. P. 205
  20. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. Мир, М. (1988)
  21. W.T. Hsein, Y.K. Fang, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho. Electron. Lett. 36, 1869 (2000)
  22. V. Yakovtzeva, N. Vorozov, L. Dolgyi, V. Levchenko, L. Postnova, M. Balukani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V. Ferrara, A. Ferrari. Phys. Stat. Sol. (a) 182, 195 (2000)
  23. B. Pecz. Proc. 1th Int. Workshop on Semiconductor Crystals (SEMINAN-2005). Budapest, Hungary (2005). Vol. 1. P. 95

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.