Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Морфология гетероэпитаксиальных пленок beta-SiC, выращенных на Si(111) методом химической конверсии в вакууме из паров гексана
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
Методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгенодифракционного анализа изучаются характеристики слоев кубического карбида кремния, выращенных на кремнии методом химической конверсии в вакууме из паров гексана. Проведен анализ морфологии поверхности и структуры пленок в зависимости от толщины осажденных пленок и вида используемой подложки (кремний или сапфир). На основе проведенных исследований обсуждается роль различных диффузионных потоков, возникающих в структуре, и связанные с ними возможные механизмы роста слоя карбида кремния beta-SiC на кремнии. Работа выполнена при финансовой поддержке Международного научно-технологического центра, на средства которого была частично изготовлена и запущена газовая вакуумная технологическая установка (проект N 2372). PACS: 68.35.Ct, 68.37.-d
- А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 1096 (1999)
- A. Yamamoto, T. Kobayshi, T. Yamauchi, M. Sasase, A. Yashimoto, Y. Ito. Phys. Stat. Sol. (c) 2, 2281 (2005)
- K.M. Jagadesh, C.L. Reddy. IEE Proc. Circuits, Devices and Syst. 151 399 (2004)
- Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.Е. Курочкин, В.А. Холоднов. ФТП 34, 1010 (2000)
- Jin Ruiying, Chen Zhiming, Pu Hongbin, Sui Xiaohong. Acta Photon. Sin. 34, 205 (2005)
- W.T. Hsieh, Y.K. Fand, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho, J.D. Hwang. Electron. Lett. 36, 86 (2000)
- I.H. Khan. Proc. Int. Conf. Silicon Carbide. Pennsylvania (1968). P. 285. [Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. Мир, М. (1972). С. 106]
- R.W. Bartlett, R.A. Mueller. Ibid. P. 341. [Там же С. 80]
- I.H. Khan, R.N. Summergrad. Appl. Phys. Lett. 11, 12 (1967)
- W. Von Munch, U. Ruhnau. J. Cryst. Growth 158, 491 (1996)
- R. Rupp, P. Lanig, D. Stephani, J. Volkl. J. Cryst. Growth 146, 37 (1995)
- В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский, А.А. Лебедев. ФТП 35, 1169 (2001)
- N. Herbots, P. Ye, H. Jacobsson, J. Xiang, S. Hearne. N. Cave. Appl. Phys. Lett. 68, 782 (1996)
- D.D. Koleske, S.M. Gates. J. Appl. Phys. 76, 1615 (1994)
- Л.К. Орлов, О.А. Кузнецов, Н.Г. Калугин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.И. Вдовин, М.Г. Мильвидский. ФТТ 36, 726 (1994)
- B. Cunningham, J.O. Chu, S. Akbar. Appl. Phys. Lett. 59, 3574 (1991)
- M.I. Larsson, Wei-Xin Ni, K. Joelsson, G.V. Hansson. Appl. Phys. Lett. 65, 1409 (1994)
- D.J. Smith, D. Chandrasekhar, S.A. Chaparro, P.A. Crozier, J. Drucker, M. Floyd, M.R. McCartney, Y. Zhang. J. Cryst. Growth 259, 232 (2003)
- L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond (ISCS-23). St. Petersburg, Russia (1996). Inst. of Phys. ublishing, Bristol and Philadelphia (1997). Vol. 155. P. 205
- Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. Мир, М. (1988)
- W.T. Hsein, Y.K. Fang, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho. Electron. Lett. 36, 1869 (2000)
- V. Yakovtzeva, N. Vorozov, L. Dolgyi, V. Levchenko, L. Postnova, M. Balukani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V. Ferrara, A. Ferrari. Phys. Stat. Sol. (a) 182, 195 (2000)
- B. Pecz. Proc. 1th Int. Workshop on Semiconductor Crystals (SEMINAN-2005). Budapest, Hungary (2005). Vol. 1. P. 95
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
