Вышедшие номера
Морфология гетероэпитаксиальных пленок beta-SiC, выращенных на Si(111) методом химической конверсии в вакууме из паров гексана
Орлов Л.К.1, Дроздов Ю.Н.1, Шевцов В.Б.1, Боженкин В.А.2, Вдовин В.И.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгенодифракционного анализа изучаются характеристики слоев кубического карбида кремния, выращенных на кремнии методом химической конверсии в вакууме из паров гексана. Проведен анализ морфологии поверхности и структуры пленок в зависимости от толщины осажденных пленок и вида используемой подложки (кремний или сапфир). На основе проведенных исследований обсуждается роль различных диффузионных потоков, возникающих в структуре, и связанные с ними возможные механизмы роста слоя карбида кремния beta-SiC на кремнии. Работа выполнена при финансовой поддержке Международного научно-технологического центра, на средства которого была частично изготовлена и запущена газовая вакуумная технологическая установка (проект N 2372). PACS: 68.35.Ct, 68.37.-d