О рекомбинации собственных точечных дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Университет государственного и муниципального управления, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
Экспериментально установлено и подтверждено термодинамическими расчетами, что в бездислокационных монокристаллах кремния вблизи фронта кристаллизации процесс рекомбинации собственных точечных дефектов затруднен в связи с наличием рекомбинационного барьера. В соответствии с гетерогенным механизмом образования и трансформации ростовых микродефектов произведена оценка рекомбинационных параметров (высота рекомбинационного барьера, время рекомбинации, фактор рекомбинации) модели динамики точечных дефектов при высоких и низких температурах. Подтверждено, что распад пересыщенного твердого раствора точечных дефектов происходит по двум направлениям: вакансионному и межузельному. Вакансии и собственные межузельные атомы кремния находят стоки в виде фоновых примесей кислорода и углерода. Показано, что образование пар собственный точечный дефект-примесь является доминирующим процессом вблизи температуры плавления. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Jj, 61.72.Yx
- R.A. Brown, D. Maroudas, T. Sinno. J. Cryst. Growth. 137, 12 (1994)
- T. Sinno, R.A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger. J. Electrochem. Soc. 145, 302 (1998)
- T. Sinno, R.A. Brown. J. Electrochem. Soc. 146, 2300 (1999)
- T.L. Larsen, L. Jensen, A. Ludge, H. Riemann, H. Lemke. J. Cryst. Growth. 230, 300 (2001)
- W. Wijaranakula. J. Electrochem. Soc. 139, 604 (1992)
- R. Habu, A. Tomura. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1 (1996)
- P.B. Rasband, P. Clancy, M.O. Thompson. J. Appl. Phys. 79, 12 (1996)
- M. Akatsuka, M. Odui, S. Umeno, K. Sueoka. J. Electrochem. Soc. 150, G587 (2003)
- A. Voigt, C. Weichmann, J. Nitschkowski, E. Dornberger, R. Holz. Cryst. Res. Technol. 38, 499 (2003)
- H. Lemke, W. Sudkamp. Phys. Stat. Sol. A 176, 843 (1999)
- V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth. 59, 625 (1982)
- A.J.R. de Kock, P.J. Roksnoer, P.G.T. Boonen. J. Cryst. Growth. 30, 279 (1975)
- P.J. Roksnoer, M.M.B. von den Boom. J. Cryst. Growth. 53, 563 (1981)
- J. Furukawa, H. Tanaka, Y. Nakada, N. Ono, S. Shiraki. J. Cryst. Growth. 210, 26 (2000)
- M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda, Y. Kitagawara. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5597 (1996)
- H.Foll, B.O. Kolbesen. J. Appl. Phys. 8, 319 (1975)
- M. Itsumi. J. Cryst. Growht. 237--239, 1773 (2002)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Phys. Stat. Sol. A 200, 297 (2003)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinzon. Cryst. Res. \& Technol. 37, 983 (2002)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinzon. Crystall. Rep. 49, 188 (2004)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Defects \& Diffusion Forum 230--232, 177 (2004)
- S.M. Hu. J. Vac. Sci. \& Technol. 14, 17 (1977)
- E. Sirtl. In: Semiconductor silicon / Eds H.R. Huff, E. Sirtl. Princeton, N.Y. (1977). P. 4
- U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. J. Appl. Phys. 23, 361 (1980)
- U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Solid State Commun. 45, 31 (1983)
- J. Dzelme, I. Ertsinsh, B. Zapol, A. Misiuk. Phys. Stat. Sol. A 171, 197 (1999)
- L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. van Landujt, J. Vanhellemont. Phys. Stat. Sol. A 171, 147 (1999)
- L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. Cryst. Res. \& Technol. 35, 775 (2000)
- M. Ian Hodge. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 102, 195 (1997)
- M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia. Phys. Rev. B 55, 14 279 (1997)
- H.J. Mayer, H. Mehrer, K. Maier. In: Proc. Conf. on Radiation Effects in Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. 31 / Eds N.B. Urli, J.W. Corbett. Bristol, London (1977). P. 186
- H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rew. Lett. 81, 393 (1998)
- G. Adam, J.H. Gibbs. J. Chem. Phys. 43, 139 (1965)
- D.A. Antoniadis, I. Moskowitz. J. Appl. Phys. 53, 9214 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
