Двухзонный пиннинг уровня Ферми можно ожидать при инверсии типа проводимости на поверхности полупроводника, которая приводит к взаимной компенсации двух конкурирующих реакций заряжения поверхности. Обсуждается принципиальный вопрос теории пиннинга - об энергетическом положении закрепляющих поверхностных уровней, индуцируемых нанесением постороннего вещества на поверхность. Рассматриваются случаи осаждения электроположительных и электроотрицательных (по отношению к полупроводнику) атомов на материалы n- и p-типов. Развитые представления дают возможность понять причины возникновения изгиба зон и пиннинга в случае нанесения электроположительных атомов на поверхности как n-, так и p-типов. Существенным для n-типа является возникновение дипольного слоя. Для хемисорбции электроотрицательных атомов (О, S, С1) на p-типе изгиб зон не возникает, что объясняется отсутствием (малостью) поверхностных диполей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.