Издателям
Вышедшие номера
Деформационные потенциалы и симметрия валентной зоны в 6KSiC
Горбань И.С., Крохмаль А.П., Рожко И.А.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

В кристаллах 6HSiC n-типа при T=4.5 K проведены исследования линий поглощения R01S01, R02S02, R03S03, обусловленных возбуждением экситонов, связанных с нейтральными неэквивалентными донорами (азотом), при одноосной деформации сжатия вдоль различных кристаллофизических осей. Однозначно установлено, что линии R03S03 обусловлены возбуждением экситонов, связанных с нейтральными донорами, в состав которых входят дырки из нижней, кристаллически отщепленной валентной зоны C. Определена симметрия валентных зон в 6HSiC: Gamma9 (А), Gamma8 (В), Gamma8 (С) и получено пять констант тензора деформационного потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.