Предложена модель фотоэмиссии электронов (ФЭ) с поверхности GaAs, активированной Cs и О, согласно которой основные потери энергии электронов происходят в активирующем слое (АС) на длине около трех монослоев. При этом большое влияние на свойства ФЭ оказывает потенциальный барьер в АС, через который электроны туннелируют с одновременным возбуждением дипольных оптических колебаний. На основе модели объяснены полученные экспериментальные данные: двухстадийное активирование и обнаруженное инверсное перераспределение ФЭ после него, энергетическое распределение электронов, деградация ФЭ, зависимость вероятности выхода электронов от состояния поверхности, а не от объемных свойств образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.