Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены диэлектрические слои CaF₂ и SrF₂ на GaAs (111). С помощью анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение показано, что после предростовой очистки поверхности GaAs при 530^oС с самых начальных стадий наблюдается эпитаксиальный рост фторида. При температуре очистки 580^oС вначале наблюдается поликристаллический рост, затем происходит упорядоточение растущей поверхности и при толщине слоя около 100 нм наблюдается эпитаксия. Величины упругих деформаций, измеренных по деформационному смещению бесфононной линии Еu²⁺ перехода 5d-4f, составляли (0,6-0.8)·10^-2 в первом случае и менее 0.2·10^-2 во втором.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.