На основе данных теоретических и экспериментальных исследований электронных термостимулированных явлений ТСЯ обосновано существование общей для всего многообразия центров прилипания носителей заряда в твердотельных диэлектриках и полупроводниках диаграммы характеристических параметров этих центров (энергии ионизации E_t, сечения захвата основных носителей заряда s_t, фактора захвата R, равного отношению скорости прилипания к скорости рекомбинации) и соответствующих электронных ТСЯ (температура максимума T_m, скорость нагрева кристалла beta). Диаграмма в безразмерных полулогарифмических координатах [(s_t/s₀(R+1)), (E_t/kT_m)] - прямая с наклоном к оси E_t/kT_m и координатами начальной точки, расположенными вблизи чисел 0.5, [5.0]. Параметр s₀=beta(vN_эффT_m)^-1, N_эфф - эффективная плотность состояний в зоне основных носителей заряда, v - скорость последних.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.