Вышедшие номера
Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках
Ризаханов М.А.
Выставление онлайн: 20 октября 1989 г.

На основе данных теоретических и экспериментальных исследований электронных термостимулированных явлений ТСЯ обосновано существование общей для всего многообразия центров прилипания носителей заряда в твердотельных диэлектриках и полупроводниках диаграммы характеристических параметров этих центров (энергии ионизации Et, сечения захвата основных носителей заряда st, фактора захвата R, равного отношению скорости прилипания к скорости рекомбинации) и соответствующих электронных ТСЯ (температура максимума Tm, скорость нагрева кристалла beta). Диаграмма в безразмерных полулогарифмических координатах [(st/s0(R+1)), (Et/kTm)] --- прямая с наклоном к оси Et/kTm и координатами начальной точки, расположенными вблизи чисел 0.5, [5.0]. Параметр s0=beta(vNэффTm)-1, Nэфф --- эффективная плотность состояний в зоне основных носителей заряда, v --- скорость последних.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.