Предложена микроскопическая модель фотопереноса заряда в рубине, основанная на туннельных переходах из фотовозбужденного ²E-состояния иона Сr³⁺ в вибронные состояния центра "Сr⁴⁺ + электрон в состоянии большого радиуса", в котором имеет место деформация решетки. При этом существенный вклад в деформацию решетки вносит псевдоэффект Яна-Теллера на остовном ионе Сr⁴⁺. Последующий перенос заряда на соседний ион Сr⁴⁺ осуществляется при прыжковых переходах электрона между состояниями большого радиуса, соответствующими различным остовам-ионам Сr⁴⁺, либо при переходах в туннельные состояния большого радиуса, локализованные на двух соседних остовах-ионах Сr⁴⁺. Рассматриваемая микроскопическая модель фотопереноса заряда в рубине позволила объяснить основные результаты эксперимента. При этом была интерпретирована ранее не находившая объяснения слабая концентрационная зависимость поперечного фототока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.