Тонкая структура магнитоэлектропоглощения компоненты сильной бигармонической световой волны в полупроводнике
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.
Рассматривается полупроводниковый кристалл, находящийся под воздействием электрического поля F1 cosomega1t+ F0cosomega0t двух сильных световых волн, а также стационарных однородных электрического E и магнитного H полей ( F1|| F0|| E|| H). Рассчитывается мощность межзонного многофотонного поглощения волны с частотой omega1. Расстройка частот omega1-omega0 не превышает характерную частоту (OmegaR=e2F0F1(2muhomega0omega1)-1 (mu - приведенная эффективная масса электронов и дырок). Получено аналитическое выражение для поглощаемой мощности. Показано, что электрическое поле E создает возможность для возгорания в спектре поглощения высокочастотной осцилляционной структуры с максимумами при Omega=OmegaR/s (s=1, 2, 3, ...) и детектирования отдельной группы пиков вблизи данного значения s.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.