Вышедшие номера
Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
Астратов В.Н., Ильинский А.В., Фурман А.С.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Теоретически и экспериментально исследованы два новых режима в динамике экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных полупроводниках. В одном из них происходит медленное расширение единственного обедненного слоя, а во втором --- образование многочисленных слоев объемного заряда чередующихся знаков. Оба режима наблюдались в кристалле Bi12SiO20 при различных температурах. Результаты эксперимента объясняются на основе простой модели, учитывающей ионизацию глубоких примесных центров, перенос носителей заряда и обратный захват. Выявлена роль различных типов глубоких центров в процессах переноса заряда в Bi12SiO20.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.