Теоретически и экспериментально исследованы два новых режима в динамике экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных полупроводниках. В одном из них происходит медленное расширение единственного обедненного слоя, а во втором - образование многочисленных слоев объемного заряда чередующихся знаков. Оба режима наблюдались в кристалле Bi₁₂SiO₂₀ при различных температурах. Результаты эксперимента объясняются на основе простой модели, учитывающей ионизацию глубоких примесных центров, перенос носителей заряда и обратный захват. Выявлена роль различных типов глубоких центров в процессах переноса заряда в Bi₁₂SiO₂₀.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.