Издателям
Вышедшие номера
Локальные дислокационные электронные уровни в щелочно-галоидных кристаллах
Кусов А.А., Клингер М.И., Закревский В.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

На основе метода решеточных функций Грина, исходя из известной трехмерной конфигурации ионов в ядре дислокации для кристаллов NaCl, KCl, LiF, рассчитано электрическое возмущение, вызывающее отщепление Deltac,v локальных дислокационных уровней от дна зоны проводимости и потолка валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.