Методом оптической спектроскопии с временным разрешением проведено сравнительное исследование зависимостей выхода быстрозатухающего (=<sssim7 нс) ультрафиолетового свечения (БС), выхода автолокализованных экситонов (АЛЭ) и эффективности образования F-центров окраски в кристаллах CsBr и BaF₂ от температуры T и плотности P импульсного электронного возбуждения (0.25 МэВ, 20 нс) в интервале 80-650 K и 6·10⁵-6·10⁷ Вт·см^-2 соответственно. Установлено подобие свойств БС и АЛЭ в отношении чувствительности как к температуре, так и к интенсивности радиационного воздействия. Сделано заключение о том, что быстрые излучательные процессы, ответственные за БС, реализуются в анионной подрешетке и лимитируются теми же факторами, что и создание АЛЭ и F-центров. Предполагается, что БС в CsBr и BaF₂ является разновидностью "горячей" люминесценции АЛЭ, двухгалоидное дырочное ядро которого совершает затухающие колебания центра масс относительна равновесного положения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.