Вышедшие номера
Идентификация скоплений междоузельных атомов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием, методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей
Морозов А.Н., Бублик В.Т.
Выставление онлайн: 20 мая 1989 г.

Методом измерения интегрального диффузного рассеяния рентгеновских лучей на двухкристальном спектрометре в брэгговской геометрии исследованы микродефекты в монокристаллах GaAs, легированных Si. Установлено, что в кристаллах, легированных до уровня ~3·1018 ат·см-3, основными микродефектами являются кластеры собственных междоузельных атомов размером 0.1-0.4 мкм. На линеаризованной угловой зависимости интенсивности диффузного рассеяния I монокристаллами GaAs, легированными Si до уровня выше 3·1018 ат·см-3, обнаружены два излома и не наблюдавшийся ранее участок зависимости I~(Deltatheta)-3, который связан с преобладанием в этих кристаллах дислокационных петель внедренного типа с радиусом ~0.5 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.