В спектрах рекомбинационного излучения кремниевых структур металл-окисел-полупроводник с длинноволновой стороны от линии излучения электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда (S-линии), обнаружена новая линия - D-линия излучения. Поведение спектров D-линии в зависимости от плотности двумерных электронов на поверхности кремния и уровня возбуждения, а также результаты исследования циркулярной поляризации излучения в магнитном поле свидетельствуют о том, что эта линия обусловлена излучательной рекомбинацией двумерных электронов и дырок, локализованных на поверхностных центрах в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.