Проведены исследования компонент тензора удельного сопротивления rho_xx, rho_zz, rho_xy компенсированных n-Cd_xHg_1-xTe и n-InSb при температурах 0.35 K=< T=< 30 K (InSb) и 1.3 K=< T=<30 K (Cd_xHg_1-xTe) в магнитных полях B=< 8 T (B|| Z). С увеличением магнитного поля наблюдается переход металл-диэлектрик, происходящий по следующему сценарию: 1) в слабых полях вещество находится в металлическом состоянии, затем 2) происходит локализация электронов в ямы крупномасштабного флуктуационного потенциала (ФП), и, наконец, 3) электроны локализуются в мелкомасштабном потенциале (эквивалент магнитного вымораживания). Подробно изучены свойства вещества во второй, промежуточной, фазе. Анализ различных способов описания наблюдаемых в этой фазе особенностей rho_xx (B, Т), rho_zz (B, T), rho_xy (B, Т) показывает, что наиболее адекватное описание достигается в модели <неоднородной среды>, существенно учитывающей неоднородность распределения концентрации электронов по объему образца. Исследованы температурная и полевая зависимости предэкспоненциальных множителей активационной части проводимости. Проанализирована природа минимума в зависимости коэффициента Холла R_H от B.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.