С пикосекундным временным разрешением исследована люминесценция свободных и локализованных экситонов в кристаллах CdS при гелиевых температурах. Определены времена затухания A₂ и B₁ экситонов (tau=40 и 12 пс соответственно). При внутризонном возбуждении около дна экситонной зоны A₁ образуется квазиравновесное распределение экситонов (время формирования 100 пс). Экспериментально обнаружен быстрый канал заселения экситонных состояний в области дна зоны. Затухание квазиравновесного распределения при длинных временах (tau=0.6 нс) определяется переходами в локализованные состояния, распад которых имеет радиационный характер (tau=1 нс для I₁ и tau = 0.58 нс для I₂). В случае мелких, локализованных на нейтральных донорах экситонов существен радиационный перенос энергии между отдельными центрами. Локализованные на нейтральных акцепторах экситонные состояния заселяются через промежуточные состояния I_1B.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.