Исследован квантовый эффект Холла (КЭХ) в гетероструктурах GaAs-Ga_1-xAl_xAs на постоянном и переменном токе в интервале температур 0.1 =< T =< 4.2 K в магнитных полях до 6.5 Тл до частот 1 ГГц. Показано, что особенности локализации электронов при T < 1 K на постоянном токе и разрушение плато на переменном токе связаны со свойствами случайного потенциала V₀. По экспериментальным данным, средняя величина V₀~= 0.7 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.