Вышедшие номера
Дислокационная сенсибилизация фотоэкзоэлектронной эмиссии
Молоцкий М.И., Полетаев А.В., Шмурак С.З.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Выполнены экспериментальные и теоретические исследования природы сенсибилизирующего влияния пластической деформации на фотоэкзоэлектронную эмиссию окрашенных кристаллов. Показано, что интенсивность эмиссии возрастает в 15-30 раз, если одновременно с освещением кристалл подвергнут пластической деформации. Рассмотрен механизм этого явления, связывающий усиление эмиссии с действием электрического поля, возникающего при перемещении заряженных дислокаций. Если до действия деформации на поверхность кристалла при освещении выходили электроны только из тонкого приповерхностного слоя, толщина которого определялась длиной диффузии, то под действием электрического поля, возникающего в результате движения дислокаций, толщина слоя значительно возрастала и определялась длиной дрейфа. Предложенный механизм разумно согласуется с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.