Показано, что ионы Eu²⁺ являются чувствительным зондом, позволяющим по положению бесфононной линии люминесценции перехода 5d-> 4f измерять упругие деформации в эпитаксиальных слоях CaF₂/Si (111). Получена зависимость величины деформации в слое CaF₂ от его толщины в диапазоне 12-1100 нм. Показано, что слои толщиной 12-14 нм плоско сжаты, что связано с близким к псевдоморфному характером их роста (a_CaF2 > a_Si). При больших толщинах слои флюорита оказываются растянутыми, что вызвано возникновением дефектов, уменьшающих напряжения при температуре роста, обусловленные рассогласованием постоянных решеток слоя и подложки, и большей величиной коэффициента термического расширения CaF₂ по сравнению с Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.