Вышедшие номера
Эффекты переключения и памяти, обусловленные прыжковым механизмом переноса носителей заряда в композитных пленках на основе проводящих полимеров и неорганических наночастиц
Алешин А.Н.1, Александрова Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследованы эффекты переключения и памяти в композитных пленках на основе проводящих полимеров (произвольных полифениленвинилена, тиофена, карбазола) и неорганических наночастиц (ZnO и Si). Установлено, что введение в полимерные материалы неорганических наночастиц, обладающих сильными акцепторными свойствами (ZnO, Si), приводит к возникновению эффектов памяти, проявляющихся в переходе полимера из низкопроводящего в высокопроводящее состояние. Для ряда композитов этот переход сопровождается появлением области с отрицательным дифференциальным сопротивлением и наличием гистерезиса в вольт-амперных характеристиках. Показано, что наблюдаемые эффекты определяются характером переноса носителей заряда в композите. Так, если в пленках на основе производных тиофена основным механизмом транспорта является проводимость, связанная с туннелированием носителей между проводящими областями, помещенными в непроводящую матрицу, то в композитных пленках (полимер-полупроводниковые наночастицы) доминирующим механизмом транспорта является прыжковая проводимость, которая и обусловливает наблюдаемые в них эффекты. Работа выполнена при поддержке подпрограммы Президиума РАН "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники" и гранта РФФИ N 07-03-00215. PACS: 72.80.Le, 72.80.Tm, 73.40.Lq, 73.61.Le, 73.61.Ph