Исследована фототермостимулированная экзоэлектронная эмиссия (ФТСЭ) из слоев аморфного кремния трех типов: термически напыленного при перпендикулярном a-Si( normal ) и наклонном a-Si() падении пучка пара на подложку, а также аморфного гидрированного кремния a-SiH_x в интервале температур 273-723 K. Наличие развитой внутренней поверхности, а также собственных дефектов аморфной сетки кремния - оборванных связей - обусловливает сложность спектров ФТСЭ. Показано влияние фотоиндуцированных метастабильных состояний на спектры ФТСЭ в слоях аморфного гидрированного кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.