Методом трехкристального спектрометра изучен характер брэгговской дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных структурах на основе соединений GaSb и InP с дислокациями несоответствия и без них. Показано, что дислокационные сетки вызывают уширение дифракционной картины в обратном пространстве в направлении, перпендикулярном вектору обратной решетки H. Из характера рассеяния вытекает, что поля смещений дислокационных сеток распространяются аномально далеко как к поверхности пленки, так и в глубь подложки. Различный вид трехкристальных кривых для систем с дислокациями несоответствия и без них позволяет фиксировать наличие дислокационных сеток в кристалле. Построение распределения интенсивности вдоль вектора H дает возможность исключить влияние дислокаций несоответствия и повысить разрешение рефлексов от пленки и подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.