Двухфотонная бистабильность на межэкситонных переходах в полупроводниках
Бардецкий П.И., Ротару А.X., Тирон Ш.Д., Шмиглюк М.И.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.
Изучено явление оптической бистабильности (ОБ) при двухфотонных переходах между экситонными уровнями в полупроводниках. В одномодовом приближении получено уравнение состояния теории ОБ в геометрии резонатора Фабри-Перо при двухфотонных внутри- и межсерийных квантовых переходах.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.