По спектрам ИК отражения и примесного поглощения изучен сегнетоэлектрический фазовый переход в TlGaSe₂. Установлено, что в низкотемпературной фазе происходит значительная деформация полиэдров Ga₄Se₁₀. По величине расщепления дважды вырожденного примесного колебания определен температурный ход параметра порядка и, по-видимому, спонтанной поляризации Ps, которую в случае TlGaSe₂ не удается измерить прямыми методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.