В слоистых полупроводниках GaSe и GaSe_0.8S_0.2 зарегистрированы и исследованы оптическая бистабильность и эффект пульсаций прошедшего через образец лазерного излучения, обусловленные образованием локализованных и движущихся доменов (волн) поглощения. Скорость движения доменов вдоль оптической оси кристаллов составляла 2-8 см/с, а период пульсаций выходного сигнала 0.5-25 мс. Обнаружены особенности поведения выходного сигнала, связанные с влиянием на движение доменов регулярной переменной составляющей падающего излучения. Проводится сравнение с результатами экспериментов для ZnSe. Для объяснения поведения движущихся доменов использована одномерная модель теплопроводностного режима движения домена (волны) поглощения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.