Оптические исследования структурных фазовых преобразований в монокристаллах PbMg1/3Nb2/3O3-xPbTiO3, лежащих на морфотропной фазовой границе
Камзина Л.С.1, Luo H.2, Xu J.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, PR China
Email: kamzin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Исследовано влияние постоянного электрического поля (0<E<4 kV/cm) на оптическое пропускание монокристаллических соединений PbMg1/3Nb2/3O3-xPbTiO3 (PMN-xPT), лежащих на границах морфотропной области (МО) (x=32 и 36.5%) и непосредственно в центре МО (x=35%). Показано, что при температурах, близких к температуре морфотропного фазового перехода, в электрическом поле в кристаллах PMN-32PT и PMN-35PT индуцируются два фазовых перехода, а в PMN-36.5PT - только один. Тетрагональная (T) фаза, индуцируемая во всех трех соединениях, остается стабильной после снятия электрического поля только в кристаллах с x=35 и 36.5%, в то время как в кристаллах PMN-32PT, лежащих на границе МО с ромбоэдрической стороны, фаза T является метастабильной и трансформируется в моноклинную фазу Mc после выключения поля. Обнаружено, что промежуточная фаза Mc в PMN-35PT, индуцируемая в электрическом поле, является неоднородной, а переход из Mc в тетрагональную фазу носит непрерывный характер. Высказано предположение, что присутствие третьей орторомбической фазы является необходимым условием для объяснения непрерывного характера перехода между фазами Mc и T в кристаллах PMN-35PT. Полученные результаты объясняются в рамках теории Девоншира для сильно ангармоничных кристаллов. Построены E-T-фазовые диаграммы для всех кристаллов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-17835), Программы ОФН РАН и Фонда поддержки естественных наук Китая (гранты N 50672111, 50432030, 50777065, 50602047). PACS: 77.80.Bh, 78.20.Ci
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин. Физика сегнетоэлектрических явлений. Наука, Л. (1985)
- I.E. Cross. Ferroelectric ceramics. Birkhauser, Berlin (1993)
- U.T. Hochli, K. Knorr, A. Loidi. Adv. Phys. 39, 405 (1990)
- G. Schmidt, H. Arndt, J. von Cieminskii. Krist. Tech. 15, 1415 (1980)
- G. Burns, F.H. Dacol. Solid State Commun. 48, 853 (1983)
- E.V. Colla, N.K. Yushin, D. Vieland. J. Appl. Phys. 83, 3298 (1998)
- G. Xu, D. Vieland, J.F. Li, P.M. Gehring, G. Shirane. Phys. Rev. B 68, 212 410 (2003)
- S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997)
- J. Kuwata, K. Uchino, S. Nomura. Ferroelectrics 37, 579 (1981)
- D. Vieland, J. Powers. J. Appl. Phys. 89, 1820 (2001)
- M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter. Phys. Rev. B 73, 014 115 (2006)
- R.R. Chien, V.H. Schmidt, C.-S. Tu, L.-W. Hung, H. Luo. Phys. Rev. B 69, 172 101 (2004)
- H. Fu, R.E. Cohen. Nature (London) 403, 281 (2000)
- Z.-G. Ye, B. Noheda, M. Dong, D. Cox, G. Shirane. Phys. Rev. B 64, 184 114 (2001)
- Z.-G. Ye, M. Dong. J. Appl. Phys. 87, 2312 (2000)
- B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane, J. Gao, Z.-G. Ye. Phys. Rev. B 66, 054 104 (2002)
- Л.С. Камзина, И.П. Раевский, Е.В. Снеткова. Письма в ЖТФ 32, 85 (2006)
- Z. Feng, X. Zhao, H. Luo. J. Appl. Phys. 100, 024 104 (2006)
- X. Wan, H. Xu, Di Lin, H. Luo. J. Appl. Phys. 93, 4766 (2003)
- R.R. Chien, H. Schmidt, L.-W. Hung, C.-S. Tu, H. Luo. J. Phys.: Cond. Matter 18, 8337 (2006)
- R.R. Chien, H. Schmidt, L.-W. Hung, C.-S. Tu. J. Appl. Phys. 97, 114 112 (2005)
- H. Luo, G. Xu, H. Xu, P. Wang, Z. Yin. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 5581 (2000)
- Z.Y. Feng, H.S. Luo, Y.P. Guo, T. He, H. Xu. Solid State Commun. 126, 347 (2003)
- P. Bao, F. Yan, X. Li, J. Zhu, H. Shen, Y. Wang. Appl. Phys. Lett. 88, 092 905 (2006)
- D. Vanderbilt, M.H. Cohen. Phys. Rev. B 63, 094 108 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.